大家好，来看一则突发消息(xī)。

　　美光公司在华销售的产品未通过(guò)网络安全审(shěn)查

　　据(jù)网信办消息，日(rì)前，网络安全审查办(bàn)公室(shì)依法对美光公司在华(huá)销售产品进行(xíng)了网络安全审查(chá)。

　　审(shěn)查(chá)发(fā)现，美光公司产(chǎn)品存在较(jiào)严(yán)重(zhòng)网络安全问(wèn)题(tí)隐(yǐn)患，对我国关键信息基础设施供应链(liàn)造(zào)成(chéng)重大安全风险，影(yǐng)响我(wǒ)国(guó)国家安(ān)全。为此，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室(shì)依(yī)法作出不予通过网(wǎng)络安全审查(chá)的结论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律法规(guī)，我(wǒ)国(guó)内关键信息基础(chǔ)设施(shī)的(de)运营者(zhě)应停止采(cǎi)购美光公司(sī)产品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进行网(wǎng)络安全审查，目的(de)是防范产品网络安全问题危害国家关键信息基础设(shè)施安(ān)全，是维(wéi)护国家安(ān)全的必要措施(shī)。中国坚定(dìng)推进(jìn)高水平对外(wài)开放，只(zhǐ)要(yào)遵守中国法律法规要求，欢(huān)迎各(gè)国企业(yè)、各类平台产品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日(rì)，中(zhōng)国网(wǎng)信网发文称，为保障关键信(xìn)息基础设施(shī)供应链安全，防范(fàn)产(chǎn)品问题隐患造成网络(luò)安全(quán)风险，维(wéi)护国家安(ān)全，依据《中华人民共和(hé)国(guó)国家安(ān)全法(fǎ)》《中华人民共(gòng)和国网络安全法》，网络(luò)安全审(shěn)查办公室(shì)按(àn)照《网络安全审查办法》，对美(měi)光(guāng)公司（Micron）在华销售的产品实施网络安(ān)全审(shěn)查。

　　美光是美国(guó)的存储芯片(piàn)行业龙头，也(yě)是(shì)全(quán)球存储芯片巨头之(zhī)一(yī)，2022年收入来自中国市(shì)场收入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据(jù)市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星空调制热和辅热哪个更暖和，空调制热和辅热有什么不同电子(zi)、 铠(kǎi)侠、西部(bù)数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士(shì)、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中(zhōng)，江波龙、佰维存储等公司披(pī)露过(guò)美光(guāng)等国际存储(chǔ)厂商为公司(sī)供应商。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比(bǐ)已经显著下(xià)降(jiàng)，至(zhì)少已经不是主要大供应(yīng)商。

　　公(gōng)告显(xiǎn)示， 2021年美光位列(liè)江波龙第一(yī)大(dà)存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和(hé)第三大供应商采购金额(é)占(zhàn)比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存(cún)储(chǔ)产业链上下游建立国(guó)内外(wài)广泛合(hé)作(zuò)。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光、西部数据(jù)等(děng)主(zhǔ)要存储晶圆原(yuán)厂签(qiān)署(shǔ)了长期合约(yuē)，确保(bǎo)存储(chǔ)晶圆供应(yīng)的稳定(dìng)性，巩(gǒng)固(gù)公司在下游(yóu)市场的供应优势(shì)，公司也与国内国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储(chǔ)、合肥(féi)长(zhǎng)鑫(xīn)保(bǎo)持良好的合作。

　　有券商此(cǐ)前就(jiù)分析(xī)，如(rú)果(guǒ)美光在中国区销(xiāo)售受到(dào)限制，或将(jiāng)导致下游客户转(zhuǎn)而(ér)采购国外三(sān)星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储(chǔ)、长鑫存(cún)储等竞对产品(pǐn)

　　分析(xī)称，长存(cún)、长鑫(xīn)的上(shàng)游设备厂或从中受益。存储器的(de)生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻(kè)蚀和薄膜成为最关键、最(zuì)大(dà)量的(de)加工设(shè)备。3D NAND每层均需(xū)要(yào)经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔(kǒng)，未来可(kě)能会更深(shēn)的孔或(huò)者沟槽，催生更(gèng)多设(shè)备需求。据东(dōng)京电子披露(lù)，薄膜沉积设(shè)备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被加入美国限制名单，设备国产化进程(chéng)加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等相关公司份额提升，以(yǐ)及存储业务(wù)占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入增长。

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