大(dà)家好，来看一则突发消(xiāo)息。

　领略的意思　美(měi)光(guāng)公司在华(huá)销售的产品(pǐn)未(wèi)通(tōng)过网络安全审查

　　据网信(xìn)办消息，日前，网络(luò)安全审查办公室依(yī)法对美光公司(sī)在华销售产品进行(xíng)了(le)网络(luò)安全审查。

　　审查发现，美(měi)光公司产品存在较严重(zhòng)网络安全问题(tí)隐患，对我国关键信息基础设施供应链(liàn)造成重大安全风险，影响(xiǎng)我国国家(jiā)安全。为此，网(wǎng)络(luò)安(ān)全审(shěn)查办公室依法作出(chū)不予通过(guò)网(wǎng)络安全审查的结(jié)论。按(àn)照《网络安全法(fǎ)》等法律法规，我国内关键信息基础设施的运(yùn)营(yíng)者应停止采购美(měi)光公司产(chǎn)品。

　　此次(cì)对美光公司产品进(jìn)行网络安全审查(chá)，目的(de)是防范产品网络安全问题危害国家关(guān)键信息基(jī)础设施安全，是维护(hù)国(guó)家安全的必要(yào)措施。中国坚定(dìng)推进高水平对外开放(fàng)，只要遵守中国法律法规要求，欢迎(yíng)各国企业、各类平台产品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文称，为保障关键信(xìn)息基础设(shè)施(shī)供应链(liàn)安全，防范(fàn)产品问题(tí)隐患造成网络安全风(fēng)险，维护国家安全，依据《中华人民共(gòng)和国国家(jiā)安(ān)全法》《中(zhōng)华(huá)人民共和(hé)国网络安全法》，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室(shì)按照《网络安(ān)全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施网络安全(quán)审查。

　　美光是(shì)美国的(de)存(cún)储芯片行业龙头，也(yě)是全球(qiú)存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收入来自(zì)中国市场收入(rù)从此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约(yuē)为(wèi) 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存(cún)）市(shì)场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公司(sī)披(pī)露过美光等国际存储厂(chǎng)商(shāng)为(wèi)公司(sī)供应商。

　　美光在(zài)江(jiāng)波龙采(cǎi)购占比(bǐ)已经显著下降，至少已(yǐ)经不(bù)是主要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光(guāng)位列(liè)江(jiāng)波龙第一大存储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元(yuán)领略的意思，占比33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波(bō)龙(lóng)第(dì)一大、第二大和(hé)第三大供应商(shāng)采(cǎi)购金额(é)占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产(chǎn)业(yè)链上下游建立国(guó)内外广泛合作(zuò)。2022年年(nián)报显示，江波龙与三星(xīng)、美光、西(xī)部(bù)数据等(děng)主要(yào)存(cún)储晶(jīng)圆原厂(chǎn领略的意思g)签署了(le)长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆供(gōng)应的稳定性，巩固公司(sī)在下游市场(chǎng)的供应优势，公司也与国内国产存(cún)储(chǔ)晶圆原厂武汉长(zhǎng)江(jiāng)存储(chǔ)、合肥长鑫(xīn)保持(chí)良好(hǎo)的合作。

　　有券商此前就(jiù)分(fēn)析，如果美光在中(zhōng)国区销售受到限制，或将导致(zhì)下游(yóu)客户转而采(cǎi)购国(guó)外三星、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长鑫存储等(děng)竞对(duì)产品

　　分(fēn)析称，长(zhǎng)存、长鑫的(de)上游(yóu)设备厂(chǎng)或从中受(shòu)益(yì)。存(cún)储器(qì)的(de)生产(chǎn)已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄(báo)膜成为最关(guān)键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均(jūn)需要经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可(kě)能会更深(shēn)的(de)孔或(huò)者沟槽，催生更多设备(bèi)需求。据(jù)东京电子(zi)披(pī)露，薄(báo)膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计为(wèi)75％。自长江存(cún)储被(bèi)加入(rù)美国限(xiàn)制名单(dān)，设(shè)备(bèi)国产化(huà)进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关(guān)公司份额提升，以(yǐ)及存储业(yè)务占比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增长。

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