大家好，来看一则(zé)突(tū)发消息。

　　美光公司在华销售(shòu)的产品未通过网(wǎng)络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安(ān)全审查办公室依法对美光公司(sī)在华销售产品(pǐn)进(jìn)行了网络安全审查。

　　审查(chá)发现，美光公(gōng)司产品(pǐn)存在较严重网络安全(quán)问题隐(yǐn)患，对(duì)我国关键信(xìn)息基础设施供(gōng)应链(liàn)造成重大安全风险，影(yǐng)响我国国(guó)家安全。为(wèi)此，网络安全审(shěn)查办公室依法作出不(bù)予(yǔ)通(tōng)过网络(luò)安全审查的结论。按照《网(wǎng)络安全(quán)法(fǎ)》等法(fǎ)律法规，我(wǒ)国内关键信息基(jī)础(chǔ)设施的(de)运营(yíng)者应(yīng)停止采(cǎi)购美(měi)光公司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络(luò)安全审(shěn)查，目的是防(fáng)范(fàn)产(chǎn)品网络安全问题危害国(guó)家(jiā)关键信(xìn)息基础设施安全，是维(wéi)护国(guó)家安(ān)全的(de)必要措施。中国(guó)坚定推(tuī)进(jìn)高水平对(duì)外开放，只(zhǐ)要遵守中国法律法规要求，欢迎(yíng)各国企(qǐ)业、各(gè)类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中(zhōng)国网(wǎng)信网发文称(chēng)，为保(bǎo)障关(guān)键信息基(jī)础(chǔ)设施供应链安全，防(fáng)范产品问题隐患造成网络(luò)安全风险，维(wéi)护国(guó)家安(ān)全(quán)，依据《中华(huá)人民共和国国家安(ān)全法》《中华人民共和国网络(luò)安(ān)全(quán)法》，网络安全审查办公(gōng)室按照《网络(luò)安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售(shòu)的(de)产品实(shí)施网络(luò)安(ān)全审查。

　　美光是(shì)美国的(de)存储芯片行(xíng)业龙头，也(yě)是全球存(cún)储芯片(piàn)巨头之一，2022年收(shōu)入(rù)来自(zì)中国市场收(shōu)入从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市(shì)场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三星(xīng)电(diàn)子、 铠侠、西部数据、青金石的五行属性，青金石的五行属性是什么SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存(cún)）市(shì)场份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光(guāng)在(zài)全(qu青金石的五行属性，青金石的五行属性是什么án)球 DRAM （内(nèi)存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司披露过美光等(děng)国际存储(chǔ)厂(chǎng)商为公司供(gōng)应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显(xiǎn)著下降，至(zhì)少已(yǐ)经不是主(zhǔ)要(yào)大(dà)供应商。

　　公(gōng)告(gào)显示， 2021年美(měi)光位列江波龙第(dì)一(yī)大存(cún)储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部数据等主要存储(chǔ)晶圆原厂签(qiān)署了长期合约，确保(bǎo)存储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场的供应优势，公(gōng)司也与(yǔ)国内国产存(cún)储晶圆原(yuán)厂(chǎng)武汉(hàn)长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保持(chí)良(liáng)好的合作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国区销(xiāo)售受到限制，或将(jiāng)导致下游(yóu)客(kè)户转而采购国外(wài)三星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分(fēn)析称，长(zhǎng)存、长鑫(xīn)的上游设备厂或从中(zhōng)受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维(wéi)的(de)结(jié)构转变使刻蚀和薄膜成为最(zuì)关(guān)键、最大(dà)量的(de)加(jiā)工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜(mó)沉积工(gōng)艺(yì)步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的(de)深孔，未来可能会更(gèng)深的孔(kǒng)或者沟槽(cáo)，催生更多设(shè)备(bèi)需求。据东京电(diàn)子披露，薄(báo)膜(mó)沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75％。自长江存(cún)储(chǔ)被加入美(měi)国限制名单(dān)，设备国(guó)产化进程(chéng)加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关公司份(fèn)额提(tí)升，以及存(cún)储业务占比(bǐ)较高的(de)华海清科(kē)（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收(shōu)入增长。

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