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　　美光公司在(zài)华销售的产(chǎn)品未通(tōng)过网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网络(luò)安全审查办公室依法对(duì)美光公司在(zài)华(huá)销售产品进(jìn)行了(le)网络安全审(shěn)查。

　　审查(chá)发(fā)现，美光公(gōng)司产(chǎn)品存在较严重网络(luò)安全问题隐患，对我国关键(jiàn)信息基础设(shè)施(shī)供应链造(zào)成重大安全风险，影响(xiǎng)我国国家(jiā)安全。为此(cǐ)，网络安全审查办公室依法作出不予通过(guò)网(wǎng)络安全审查的结论。按照《网络安全(quán)法(fǎ)》等(děng)法律法规，我国内关键信(xìn)息(xī)基础设施的运营(yíng)者应(yīng)停止采(cǎi)购(gòu)美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美光公司产品(pǐn)进行(xíng)网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查，目的是(shì)防范(fàn)产品网络(luò)安全问题危害国家关键信息(xī)基础设施(shī)安(ān)全，是维护国家安(ān)全的(de)必要措施。中(zhōng)国(guó)坚(jiān)定推进高水(shuǐ)平对(duì)外(wài)开放，只要遵守中国法(fǎ)律法规要求，欢迎各国企业(yè)、各类平台产品服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网发文称(chēng)，为(wèi)保障关键信息基(jī)础设(shè)施(shī)供应链安(ān)全(quán)，防范产品问题隐患造成网络安(ān)全(quán)风险，维(wéi)护国家(jiā)安全，依据(jù)《中华人(rén)民共(gòng)和国国家安全法》《中华人民共和国网络安(ān)全法》，网络安全(quán)审查办(bàn)公(gōng)室(shì)按照《网络安全审查办(bàn)法》，对美光(guāng)公司(sī)（Micron）在华销售的产品实施网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查。

　　美光是美(měi)国的存(cún)储芯片(piàn)行业龙头，也(yě)是全(quán)球存储芯片巨头之一(yī)，2022年收入来自中国市(shì)场收(shōu)入从此前(qián)高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询(xún)机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场(chǎng)份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙(lóng)、佰维存储等公司披(pī)露过美光等国际存储厂商(shāng)为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比已经显(xiǎn)著下(xià)降(jiàng)，至(zhì)少已经不(bù)是主要大供应商(shāng)。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列江波龙(lóng)第一大存储晶(jīng)圆供应商，采购约(yuē)31亿元，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二大和第三康桥在哪里再别康桥，徐志摩康桥在哪里大供应商采购金额占(zhàn)比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存(cún)储产业链上下游建(jiàn)立国内(nèi)外广(guǎng)泛合(hé)作。2022年(nián)年(nián)报显示(shì)，江波龙(lóng)与三星、美光、西(xī)部数据等主(zhǔ)要存储晶(jīng)圆原厂签署(shǔ)了(le)长(zhǎng)期(qī)合约，确(què)保(bǎo)存(cún)储晶(jīng)圆供应的稳定性(xìng)，巩固公司在下游市(shì)场的供应(yīng)优势，公(gōng)司也与国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有券(quàn)商此(cǐ)前(qián)就分析，如(rú)果美光在(zài)中(zhōng)国区销售受到限制，或(huò)将导致(zhì)下游客(kè)户转而采购(gòu)国外(wài)三星、 SK海力士(shì)，国内(nèi)长江存储、长鑫存(cún)储(chǔ)等竞对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上游(yóu)设(shè)备厂或从中(zhōng)受(shòu)益。存储(chǔ)器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工康桥在哪里再别康桥，徐志摩康桥在哪里艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维(wéi)的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步(bù)骤，同时(shí)刻(kè)蚀(shí)目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生更多设(shè)备需求。据东京(jīng)电(diàn)子(zi)披(pī)露，薄膜沉(chén)积(jī)设备及(jí)刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本开支合计为75％。自长江存储被加入美国(guó)限(xiàn)制名单，设备(bèi)国(guó)产化进程加速，看好拓荆(jīng)科(kē)技（薄(báo)膜沉积）等相(xiāng)关公(gōng)司份(fèn)额(é)提升，以及存储(chǔ)业务占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增长。

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