大家(jiā)好，来看一则(zé)突(tū)发消(xiāo)息。

　　美光(guāng)公司(sī)在华(huá)销售的产(chǎn)品未(wèi)通过网络(luò)安全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网络安全审查办公室依法对(duì)美光公司在华销售产品进行了网络安全(quán)审查。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品存在较严重网络安全问题隐患，对我国(guó)关键信息基础设施供应链造(zào)成重(zhòng)大安全风险(xiǎn)，影响我(wǒ)国国家安全。为此，网络安全审查办(bàn)公室依法作出不予通(tōng)过网络(luò)安全审查(chá)的结论(lùn)。按照《网(wǎng)络安全(quán)法》等(děng)法律法规，我国(guó)内关(guān)键信息基础设(shè)施(shī)的运(yùn)营(yíng)者应停(tíng)止采购美(měi)光公司产品。

　　此次对美光(guāng)公司产品进行网络安(ān)全(quán)审查，目的是防范(fàn)产品网络安全问(wèn)题(tí)危害国家(jiā)关键信息基(jī)础(chǔ)设施安全(quán)，是维(wéi)护(hù)国家安全(quán)的必要措施。中国坚定推(tuī)进高水平对外(wài)开放(fàng)，只要遵守(shǒu)中国法(fǎ)律(lǜ)法(fǎ)规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服(fú)3502身份证号码开头是哪的，身份证号3502开头的是哪里人务(wù)进入中(zhōng)国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称，为保(bǎo)障关键信息基础设(shè)施(shī)供应链(liàn)安全(quán)，防范产(chǎn)品(pǐn)问(wèn)题隐患(huàn)造(zào)成(chéng)网(wǎng)络安全(quán)风险，维护国家安全，依据《中华人民(mín)共(gòng)和国国(guó)家安全法》《中(zhōng)华人民共(gòng)和国(guó)网(wǎng)络安全法》，网络(luò)安全审查办公(gōng)室(shì)按照《网络(luò)安全审查办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售的产品实施网络安全(quán)审查。

　　美(měi)光是美国的存储芯(xīn)片行业龙头，也(yě)是全球存储芯片(piàn)巨(jù)头之(zhī)一，2022年收(shōu)入来自中国市(shì)场(chǎng)收入从此前高峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年约11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力(lì)士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为(wèi) 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美(měi)光在全(quán)球 DRAM （内存）市(shì)场(chǎng)份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中(zhōng)，江波龙、佰维存储等(děng)公(gōng)司(sī)披(pī)露过美光(guāng)等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已(yǐ)经显著下降，至(zhì)少已经不是主要大供应商(shāng)。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年(nián)美光位列(liè)江(jiāng)波(bō)龙(lóng)第(dì)一大存储晶圆供应商，采(cǎi)购约(yuē)31亿(yì)元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二大(dà)和第三(sān)大供(gōng)应(yīng)商采购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经(jīng)在存(cún)储产业链上下游(yóu)建立国内外广泛合作(zuò)。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光、西(xī)部数据等主要存储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合(hé)约，确(què)保(bǎo)存储晶(jīng)圆供(gōng)应的稳定性，巩固公(gōng)司在下游市场的供应优势，公(gōng)司(sī)也(yě)与国内国产存储晶圆原厂武汉(hàn)长江(jiāng)存储、合肥(féi)长鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有券商(shāng)此(cǐ)前就分析(xī)，如(rú)果美光在中国区销售受到(dào)限制(zhì)，或将导致下游客户转(zhuǎn)而采(cǎi)购国外三(sān)星、 SK海力士，国(guó)内长江存储、长鑫(xīn)存储等(děng)竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从(cóng)中受益。存(cún)储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构(gòu)转变使刻蚀和薄(báo)膜成为最关键、最大量的(de)加工设(shè)备(bèi)。3D NAND每层均需(xū)要经过薄(báo)膜沉(chén)积工艺(yì)步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深的孔或(huò)者(zhě)沟槽，催生更多设备需求。据(jù)东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自长江存3502身份证号码开头是哪的，身份证号3502开头的是哪里人储被加(jiā)入(rù)美国限制名单，设备(bèi)国(guó)产化进(jìn)程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份(fèn)额提升，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海(hǎi)（清(qīng)洗）等收入增(zēng)长。

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