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　　美光公司在(zài)华销(xiāo)售的产品(pǐn)未通过(guò)网络安全审查

　　据(jù)网信(xìn)办(bàn)消(xiāo)息(xī)，日(rì)前(qián)，网络(luò)安(ān)全审查办公室依(yī)法对(duì)美(měi)光(guāng)公司在华销售产(chǎn)品(pǐn)进(jìn)行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品(pǐn)存在较(jiào)严重网(wǎng)络安全问题隐(yǐn)患(huàn)，对我国关键(jiàn)信息基(jī)础设(shè)施(shī)供应链造成重大安全风险，影响我国国(guó)家安全(quán)。为此，网络(luò)安全审查办(bàn)公室依法作(zuò)出不(bù)予通(tōng)过网络安全(quán)审查的(de)结论。按照《网(wǎng)络(luò)安全法》等(děng)法律法规，我国(guó)内关键信息基础设(shè)施的运营者应(yīng)停(tíng)止采购美光公(gōng)司产品。

　　此次对美光公司产品(pǐn)进(jìn)行网络安(ān)全(quán)审查，目的(de)是防(fáng)范产品网络安全问题(tí)危害国家关键信息基础(chǔ)设施安全，是维护(hù)国家安全的(de)必要措施。中国坚(jiān)定(dìng)推(tuī)进高水平(píng)对外开(kāi)放，只要遵守中(zhōng)国法律法规要(yào)求(qiú)，欢迎各国企业、各类平台产(chǎn)品(pǐn)服(fú)务进(jìn)入中国(guó)市(shì)场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称(chēng)，为保障关(guān)键(jiàn)信息(xī)基础设施供应链安(ān)全，防范产品问题隐(yǐn)患(huàn)造成网络安全风(fēng)险，维(wéi)护国家安全，依据《中华(huá)人民(mín)共和国国家安全(quán)法53231323是什么意思？ 53231323可以弹哪些歌》《中华人民(mín)共(gòng)和国网络安全法》，网络安(ān)全审查办公室按照《网络安全审(shěn)查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施(shī)网络安全(quán)审查。

　　美光是美国(guó)的存(cún)储芯片行业(yè)龙(lóng)头，也是全球存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收入来自中国市(shì)场(chǎng)收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西(xī)部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额(é)约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波(bō)龙、佰(bǎi)维存储等公司(sī)披露过美光(guāng)等国际存储厂商(shāng)为公司供应商。

　　美(měi)光(guāng)在江波龙(lóng)采购占比已经显著下(xià)降，53231323是什么意思？ 53231323可以弹哪些歌至少已经不是主(zhǔ)要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大(dà)存(cún)储晶圆供(gōng)应商(shāng)，采(cǎi)购(gòu)约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供(gōng)应商(shāng)采购金(jīn)额(é)占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙(lóng)已经在存储产业链上下游建立国(guó)内外广(guǎng)泛合(hé)作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三(sān)星、美光、西部数据等主要存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂签署了长期(qī)合约(yuē)，确保存储晶圆(yuán)供应(yīng)的稳定性，巩固公司在下游市场(chǎng)的供应优势，公司(sī)也与国内国产存储晶(jīng)圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫保持良(liáng)好的合(hé)作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果美光在中国区销售(shòu)受到限制，或将(jiāng)导致下游客户转而(ér)采购国外三星、 SK海力士，国(guó)内长(zhǎng)江存储、长(zhǎng)鑫存(cún)储等(děng)竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从(cóng)中(zhōng)受益(yì)。存储器的生产已经演(yǎn)进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已(yǐ)经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻(kè)蚀(shí)和薄膜成(chéng)为最(zuì)关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉积(jī)工艺步骤(zhòu)，同时刻(kè)蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深(shēn)孔，未来可能(néng)会更深(shēn)的孔或者沟槽，催(cuī)生更多设备(bèi)需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长(zhǎng)江存(cún)储被加入美(měi)国限制名单，设备国产(chǎn)化进程加速(sù)，看好拓荆科技(jì)（薄膜(mó)沉积）等相关公司份(fèn)额(é)提升(shēng)，以及存储业(yè)务占比较(jiào)高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增长。

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