大家好，来看一则突发消息。

　　美光(guāng)公司(sī)在华(huá)销(xiāo)售(shòu)的产品未通过网络安全审查(chá)

　　据网信西安市城六区是哪几个办消息，日(rì)前，网络安全审查办公室依法对(duì)美光(guāng)公司(sī)在华销售产品进(jìn)行了网络安全(quán)审查。

　　审(shěn)查发现，美(měi)光公司(sī)产品存(cún)在较严重网络安全(quán)问题隐患，对我国关键信息基础设(shè)施供应链造成重大安全风(fēng)险，影响我国国家安全。为此(cǐ)，网络(luò)安全审查办公室依法作出不予通过网络安全审(shěn)查(chá)的结(jié)论。按照《网络安全法》等法律法规，我国(guó)内(nèi)关键信息基(jī)础设(shè)施(shī)的运(yùn)营者应停止采(cǎi)购美(měi)光公司产品。

　　此次(cì)对美光公司产品进(jìn)行网络安全审查，目(mù)的是防(fáng)范产品网络安(ān)全问题危害国家关键信(xìn)息基础设施安全，是维护国家安全的必要措施。中国(guó)坚(jiān)定推进高水平对外开(kāi)放(fàng)，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各(gè)类(lèi)平台产品服(fú)务进入中(zhōng)国市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发(fā)文称，为保障关键信息基础设施供应链安(ān)全，防范产品(pǐn)问题(tí)隐(yǐn)患造成网(wǎng)络安(ān)全风险，维护(hù)国(guó)家(jiā)安全，依据《中华人(rén)民共和(hé)国国家安全(quán)法(fǎ)》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全审查办公室(shì)按照《网络安(ān)全审(shěn)查(chá)办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华(huá)销售的产品实施(shī)网络(luò)安全审查。

　　美光是美国的存(cún)储芯片行业龙头(tóu)，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收入从此前(qián)高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据(jù)、SK 海(hǎi)力(lì)士、美光、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三(sān)星电子(zi)、 SK 海力士、美光在(zài)全球(qiú) DRAM （内存(cún)）市场(chǎng)份(fèn)额(é)约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰维(wéi)存储等公司披(pī)露过美(měi)光等(děng)国(guó)际存储厂商(shāng)为公司供应(yīng)商。

　　美光在(zài)江波龙(lóng)采购占比已经显著下(xià)降，至少已经(jīng)不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大(dà)存(cún)储晶(jīng)圆供应商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和西安市城六区是哪几个第(dì)三(sān)大(dà)供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储产业链(liàn)上下游建立(lì)国内外广(guǎng)泛合作。2022年年(nián)报显示，江波龙(lóng)与三星、美光(guāng)、西部数据等主要存储晶圆原厂(chǎng)签(qiān)署了长期(qī)合约(yuē)，确保存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆(yuán)供应的稳(wěn)定(dìng)性，巩固公(gōng)司在(zài)下游市场的(de)供应优势(shì)，公司也与国内(nèi)国(guó)产存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫保持良(liáng)好(hǎo)的合作。

　　有券商此前就分(fēn)析，如(rú)果美光在(zài)中国区销售受到限(xiàn)制(zhì)，或将导致(zhì)下游客户(hù)转而(ér)采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的(de)上游设备厂(chǎng)或从中受益。存储器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻(kè)蚀(shí)目前(qián)前沿要刻到 60：1的(de)深(shēn)孔(kǒng)，未来可(kě)能会(huì)更深的孔或者(zhě)沟槽，催(cuī)生更多设备需(xū)求。据东京电子披(pī)露，薄膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资(zī)本开(kāi)支合计(jì)为75％。自长江存储(chǔ)被加入美(měi)国限制名(míng)单，设备(bèi)国产化进(jìn)程加速(sù)，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等(děng)相(xiāng)关公司份(fèn)额(é)提升，以及存储业务占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收(shōu)入增长。

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