大家好(hǎo)，来看一则(zé)突发消息。

　　美光公司在华(huá)销(xiāo)售的产(chǎn)品(pǐn)未通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前(qián)，网络安全审(shěn)查办公(gōng)室(shì)依法对美光公司在华销售产(chǎn)品进行了(le)网络安全(quán)审查。

　　审(shěn)查(chá)发现(xiàn)，美光公司产品存在较严重(zhòng)网络安全问题隐患，对我(wǒ)国关键信息(xī)基础设施供应链造(zào)成重大安全(quán)风险，影(yǐng)响我国国家安全。为此，网络(luò)安全审(shěn)查办(bàn)公室依法作出不予通过网络安全审(shěn)查的结(jié)论。按照《网络安全法(fǎ)》等(děng)法律(lǜ)法规，我国(guó)内关键(jiàn)信息基础设施的运营(yíng)者应停止采购(gòu)美光公司产品。

　　此(cǐ)次对美光(guāng)公司(sī)产品进行网络安全审查(chá)，目的是防范产品网络安(ān)全问题危害国(guó)家(jiā)关(guān)键信(xìn)息(xī)基础设施安(ān)全，是(shì)维护国家(jiā)安(ān)全的必要措(cuò)施。中国坚定(dìng)推进(jìn)高水平对外开放，只(zhǐ)要(yào)遵守中国法律法规要(yào)求，欢迎各(gè)国企业、各类平台产品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文称，为保障关键信息(xī)基础设施供应链安(ān)全(quán)，防范产品(pǐn)问题隐患造成网络安全(quán)风险，维(wéi)护国家(jiā)安全(quán)，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华人民共(gòng)和国网(wǎng)络安全法》，网(wǎng)络安全审(shěn)查办公室(shì)按照《网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查(chá)办法(fǎ)》，对(duì)美光(guāng)公司（Micron）在(zài)华(huá)销售的产(chǎn)品实施网络(luò)安全审查。

　　美光(guāng)是美国的(de)存储芯(xīn)片(piàn)行业(yè)龙头，也(yě)是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收入(rù)从此(cǐ)前高峰(fēng)57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据(jù)、SK 海力士(shì)、美(měi)光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市(shì)场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士(shì)、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中(zhōng)，江波龙(lóng)、佰维存储等(děng)公司披露过(guò)美光等国际存储厂(chǎng)商为公(gōng)司供应商(shāng)。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占比已经显著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年(nián)美光(guāng)位列江波龙第(dì)一(yī)大(dà)存储晶圆供(gōng)应商，采购约31亿元(yuán)，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波(bō)龙(lóng)第一(yī)大、第(dì)二大和第(dì)三大(dà)供应商(shāng)采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存储产业链上(shàng)下游建立国内外(wài)广泛合作。2022年年报显示，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部数(shù)据(jù)等(děng)主(zhǔ)要(yào)存(cún)储晶圆原(yuán)厂签署了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固(gù)公(gōng)司(sī)在(zài)下游市场的供应优势，公司也与国(guó)内国产存储晶(jīng)圆原厂武汉(hàn)长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好(hǎo)的(de)合作。

　　有(yǒu)券商(shāng)此前(qián)就分析(xī)，如(rú)果美光在中国(guó)区销(xiāo)售受到限制，或(huò)将(jiāng)导致下游客户转而(ér)采购国外不朽的意思三星、 SK海力士(shì)，国内(nèi)长江(jiāng)存储、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益(yì)。存储(chǔ)器(qì)的生产已(yǐ)经(jīng)演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结(jié)构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为最关键、最大(dà)量(liàng)的加工设备。3D NAND每层(céng)均(jūn)需要经过薄(báo)膜沉积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目前前沿(yán)要(yào)刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能会更深的(de)孔(kǒng)或者沟(gōu)槽，催生更多设(shè)备需求。据(jù)东京(jīng)电子披露，薄膜沉(chén)积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合(hé)计为(wèi)75％。自长江存储被(bèi)加(jiā)入(rù)美(měi)国限(xiàn)制(zhì)名单(dān)，设备国产(chǎn)化进程(chéng)加速(sù)，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等(děng)相关公(gōng)司份额提升，以(yǐ)及存储业务占比较(jiào)高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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