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　　美光公司在华销售(shòu)的产品(pǐn)未通过(guò)网络安(ān)全审查(chá)

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公室依法对美(měi)光公司在(zài)华销售产(chǎn)品进(jìn)行了网络安(ān)全(quán)审查。

　　审查(chá)发现，美光公司产品存在较严重网络安全(quán)问题隐患，对(duì)我(wǒ)国关键信息(xī)基础设(shè)施供应链(liàn)造(zào)成重大安全(quán)风险，影响我(wǒ)国(guó)国家安全。为(wèi)此，网络安全审查办(bàn)公室依(yī)法作出不予通过(guò)网络安全审查的结论。按照《网络安全法》等(děng)法律法规，我国(guó)内关键信息基础设施的运营者应停止采购美光公司产品。

　　此次对(duì)美光公司产品进行网络安全审查，目(mù)的是防范产品网络(luò)安(ān)全问题危害国家关(guān)键信息(xī)基础设施(shī)安全，是维护国家安全的必要(yào)措(cu亲爱的让你㖭我下黑ò)施。中国坚(jiān)定(dìng)推进高水平对外开放，只要(yào)遵守中国法律法规要求，欢迎各国(guó)企业、各类平(píng)台(tái)产品服(fú)务进入(rù)中国(guó)市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文称，为保障关(guān)键信(xìn)息基础设施供应链安全(quán)，防范(fàn)产品问题隐患(huàn)造成(chéng)网络安全风险，维(wéi)护(hù)国家安全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华人民共(gòng)和国网络安全法(fǎ)》，网络安全审查办公室按照《网络安全审查办(bàn)法(fǎ)》，对美(měi)光公司（Micron）在华销(xiāo)售(shòu)的(de)产品实(shí)施(shī)网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　美光是美国的存(cún)储芯片行业(yè)龙头，也是全(quán)球存储芯片巨头之一，2022年(nián)收入来自中国市(shì)场(chǎng)收入(rù)从此前(qián)高(gāo)峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年约11％。根(gēn)据(jù)市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flas亲爱的让你㖭我下黑h （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公(gōng)司中，江波龙、佰维存(cún)储等公司披露过美光等(děng)国际存储厂商为(wèi)公司供(gōng)应商。

　　美(měi)光在江(jiāng)波龙(lóng)采购占(zhàn)比(bǐ)已经(jīng)显著(zhù)下降，至少已经不是主要(yào)大供应商。

　　公告(gào)显示(shì)， 2021年美光位列江(jiāng)波(bō)龙第一大存储晶(jīng)圆供应商(shāng)，采(cǎi)购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二大(dà)和(hé)第三大(dà)供应商(shāng)采购金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在(zài)存储产业链上下游建立国内外广泛(fàn)合(hé)作(zuò)。2022年年报显(xiǎn)示(shì)，江(jiāng)波(bō)龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂(chǎng)签署了长(zhǎng)期合(hé)约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下(xià)游市场的供应优势，公司也与(yǔ)国(guó)内(nèi)国(guó)产存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆原(yuán)厂(chǎng)武汉长江存(cún)储、合肥长(zhǎng)鑫保(bǎo)持良好(hǎo)的合作(zuò)。

　　有券(quàn)商此前(qián)就分(fēn)析，如果美光在中国区销售受到限制，或将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长鑫存储(chǔ)等(děng)竞对产品

　　分析(xī)称，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代(dài)，2 维(wéi)到3维(wéi)的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关(guān)键、最大(dà)量的(de)加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步(bù)骤，同(tóng)时刻(kè)蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能会更(gèng)深的孔(kǒng)或者沟槽(cáo)，催生(shēng)更(gèng)多设备需求(qiú)。据东京电子披(pī)露，薄膜沉(chén)积设(shè)备及刻蚀(shí)占3D NAND产(chǎn)线资本(běn)开(kāi)支合(hé)计(jì)为75％。自长江存储被(bèi)加入(rù)美国(guó)限制(zhì)名单(dān)，设(shè)备国产化进程(chéng)加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜(mó)沉积(jī)）等相关(guān)公司(sī)份(fèn)额提升，以及存(cún)储业务占(zhàn)比(bǐ)较(jiào)高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入(rù)增长。

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