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孕妇咳黄痰几天能自愈,白痰和黄痰哪个严重 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大(dà)家好,来看一则突发消息。

  美光公司在华(huá)销(xiāo)售(shòu)的(de)产品未(wèi)通过网络安全(quán)审查

  据网信(xìn)办消(xiāo)息,日前,网络安全审查(chá)办公室依法对(duì)美光公司在华(huá)销售(shòu)产品进行了网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查。

  审查发(fā)现(xiàn),美光公司产(chǎn)品存(cún)在(zài)较严重网络安全(quán)问(wèn)题隐患,对(duì)我国(guó)关键信息基础设施(shī)供应链造成重大安全风险,影响我国国家安(ān)全。为此(cǐ),网络安全审查办(bàn)公室依法作出不予通过(guò)网(wǎng)络安全审查(chá)的结论。按照(zhào)《网络安全法》等(děng)法律法规(guī),我国内(nèi)关键信息基础设施(shī)的运营(yíng)者(zhě)应停止采购美光公司产品。

  此次对美光公司产品进(jìn)行网络安全审查,目的是防范产品网络(luò)安全问题危害(hài)国家(jiā)关键(jiàn)信息基础设(shè)施安(ān)全,是维护国家安全的必要措施。中国坚定(dìng)推进高水平对外开放,只要遵守中国法律法规要求,欢(huān)迎各(gè)国企业、各类平(píng)台产品服务进入中国市场。

  半导体突发!中国出手:停止(zhǐ)采(cǎi)购!

  3月31日(rì),中(zhōng)国网信网发(fā)文(wén)称,为保障(zhàng)关键(jiàn)信息基(jī)础设(shè)施供应链安全,防范产品(pǐn)问题(tí)隐(yǐn)患(huàn)造成网络安全(quán)风险(xiǎn),维(wéi)护国家安全,依(yī)据《中华人民共和国国家安全法》《中华人民共和(hé)国网络安孕妇咳黄痰几天能自愈,白痰和黄痰哪个严重全(quán)法》,网(wǎng)络安(ān)全审查办公室按照《网络安全审查办法》,对(duì)美光公司(Micron)在华(huá)销售的产品实施网络(luò)安全审(shěn)查(chá)。

  半导体突发!中国出(chū)手:停止采购!

  美光是(shì)美国的(de)存储芯片行业龙头,也是全球(qiú)存(cún)储芯片巨头之一,2022年收入来自(zì)中国市场收(shōu)入从此前高峰57%降至2022年(nián)约(yuē)11%。根据市场咨询(xún)机构(gòu) Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电(diàn)子、 铠(kǎi)侠、西部数据(jù)、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市场(chǎng)份孕妇咳黄痰几天能自愈,白痰和黄痰哪个严重额约为 96.76%,三星电子、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM (内存(cún))市场(chǎng)份额(é)约为 94.35%。

  A股(gǔ)上市公(gōng)司中,江波龙、佰维(wéi)存储等公司披露过美光等国际存储厂商(shāng)为(wèi)公司供应商。

  美光在(zài)江波龙采(cǎi)购占(zhàn)比已经显著下降,至少已经不(bù)是主要大供应(yīng)商。

  公告显(xiǎn)示, 2021年美光位列(liè)江(jiāng)波龙(lóng)第一大(dà)存储晶圆供应商,采购约31亿元,占比(bǐ)33.52%;2022年,江波龙第(dì)一(yī)大(dà)、第二大(dà)和第三大供应商采购金额占比(bǐ)分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目(mù)前江波龙已经在存(cún)储产业链上(shàng)下游(yóu)建(jiàn)立国(guó)内外(wài)广泛合作。2022年年报显示(shì),江波龙与(yǔ)三星、美光、西部数据等主(zhǔ)要(yào)存(cún)储晶圆原厂签署了长期合约,确保存储(chǔ)晶圆(yuán)供应的稳(wěn)定性,巩固公司(sī)在下游市(shì)场的供应优势,公司也与国(guó)内国(guó)产存(cún)储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的(de)合作。

  有(yǒu)券商此前就分析,如果美光在(zài)中国区(qū)销售受到限制,或将(jiāng)导(dǎo)致下游客户转(zhuǎn)而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士,国内长江(jiāng)存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对(duì)产品

  分(fēn)析称,长存、长鑫的上(shàng)游设备厂或从中受益。存储器的生(shēng)产已(yǐ)经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时(shí)代,2 维到(dào)3维的结构转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最(zuì)关键、最大量的(de)加工(gōng)设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜(mó)沉积(jī)工艺步骤,同(tóng)时刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60:1的(de)深孔,未(wèi)来可能会更深的孔或(huò)者沟槽,催(cuī)生更多设备需求(qiú)。据东京(jīng)电子披露,薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支(zhī)合(hé)计(jì)为75%。自长江存(cún)储(chǔ)被(bèi)加入美国限制(zhì)名(míng)单,设(shè)备国(guó)产化进程加速,看好拓荆(jīng)科技(薄膜沉积)等相(xiāng)关公司份额提(tí)升,以及存(cún)储业(yè)务(wù)占比较高的(de)华海清科(CMP)、盛美上海(hǎi)(清洗)等(děng)收(shōu)入增长。

 

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