大家好(hǎo)，来看一则突发消息。

　　美光公司在华销售的产品未通过网络安(ān)全(quán)审查

　　据网信办消息(xī)，日前，网络安全(quán)审查办公(gōng)室依法对(duì)美光公司(sī)在(zài)华销售产品进行了网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　审查发(fā)现(xiàn)，美光公司产品存(cún)在较严重网络(luò)安全(quán)问题隐(yǐn)患，对我国关键信息基础设施供应链造成重大安全风(fēng)险，影响我国(guó)国家安(ān)全。为此，网(wǎng)络安全审查办(b五线谱中leggiero是什么意思，五线谱里的legatoàn)公室(shì)依(yī)法作出不予通过网络安全审查的结论(lùn)。按照《网络(luò)安全法》等(děng)法(fǎ)律(lǜ)法规，我(wǒ)国内(nèi)关键信息基础设施的(de)运营者应停(tíng)止采购美光公(gōng)司产品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进行网络安全审查，目(mù)的是(shì)防范产品网络安全问五线谱中leggiero是什么意思，五线谱里的legato题危害国家关键信息基础设施安全，是维护国(guó)家(jiā)安全的(de)必要(yào)措施。中(zhōng)国坚定推进高水平(píng)对外开放(fàng)，只要遵守中国法律(lǜ)法规要求，欢迎(yíng)各国企业、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文称，为保障关键信息(xī)基础设施供应链安全，防范产品问题(tí)隐(yǐn)患(huàn)造成网络安(ān)全风(fēng)险(xiǎn)，维护国(guó)家安(ān)全，依据(jù)《中华(huá)人民共和(hé)国国(guó)家(jiā)安全法》《中(zhōng)华人民共(gòng)和(hé)国网络安全法》，网络(luò)安全(quán)审查办公室按(àn)照《网(wǎng)络安全审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在(zài)华销售(shòu)的产(chǎn)品实施网(wǎng)络安全审查(chá)。

　　美光(guāng)是(shì)美(měi)国的存储(chǔ)芯片行业龙头，也是全球存储芯(xīn)片巨头之一，2022年(nián)收(shōu)入来(lái)自中国市(shì)场收入(rù)从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三五线谱中leggiero是什么意思，五线谱里的legato星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星(xīng)电(diàn)子(zi)、 SK 海力士、美(měi)光(guāng)在全(quán)球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公(gōng)司中，江波龙、佰维存储等公司披露过美(měi)光(guāng)等(děng)国际(jì)存储厂商为(wèi)公(gōng)司供应商。

　　美光在江波龙采购占比(bǐ)已经显著(zhù)下降(jiàng)，至少已经不(bù)是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位(wèi)列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第(dì)一大(dà)、第二大和第(dì)三大(dà)供(gōng)应商采购金额占比分(fēn)别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经(jīng)在(zài)存储产业链上(shàng)下游(yóu)建(jiàn)立国内外(wài)广泛合作。2022年年报显示(shì)，江波龙与三星、美光(guāng)、西部数据等主要(yào)存储晶圆原厂签署了长期合约，确保存(cún)储晶圆供应的稳定性(xìng)，巩固公司在下游市场的供应优势，公司也(yě)与国(guó)内国产存储晶圆原(yuán)厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有券(quàn)商此前就分析，如果美光在(zài)中国区销(xiāo)售(shòu)受到限制，或将导致下游客户转而(ér)采购(gòu)国外(wài)三星、 SK海力士，国内(nèi)长江(jiāng)存储、长鑫存(cún)储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游(yóu)设备(bèi)厂或从中受益。存储器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现(xiàn)在(zài)已经进入(rù)3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均(jūn)需要(yào)经过薄(báo)膜(mó)沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目(mù)前前沿(yán)要刻到(dào) 60：1的深孔(kǒng)，未来可(kě)能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披露(lù)，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合(hé)计为75％。自长江存(cún)储被加(jiā)入美国限制名单，设备国(guó)产化(huà)进程加速(sù)，看好拓荆科技(jì)（薄(báo)膜沉积）等(děng)相(xiāng)关(guān)公司份额提升(shēng)，以及(jí)存储业务占比较高的华(huá)海(hǎi)清科（CMP）、盛(shèng)美上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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