大家(jiā)好，来看一则突发消息(xī)。

　　美光公司在华销(xiāo)售的产品未(wèi)通过(guò)网络安全审查

　　据网信办消息(xī)，日前，网络安全审查办公室依法对美光公(gōng)司在(zài)华销售产品进行(xíng)了网络(luò)安全(quán)审查(chá)。

　　审查发现，美光公司(sī)产(chǎn)品存(cún)在较严重网络安全问题(tí)隐(yǐn)患，对我国关(guān)键信(xìn)息基(jī)础设施(shī)供应(yīng)链(liàn)造成重(zhòng)大安全风险，影响我(wǒ)国国家安(ān)全(quán)。为此，网络安全审(shěn)查办公室(shì)依aj和耐克的区别是什么，aj和乔丹的区别是什么法作(zuò)出不予通过网络安全审查(chá)的(de)结论(lùn)。按照《网络安全法》等(děng)法律法(fǎ)规，我国内(nèi)关(guān)键信息基础设施(shī)的运营者(zhě)应停止(zhǐ)采购美光公司(sī)产品。

　　此(cǐ)次对美光公司(sī)产品进行网络安(ān)全(quán)审查，目的是防范产品(pǐn)网络安全问题危害(hài)国家关(guān)键(jiàn)信息基础设施(shī)安全，是(shì)维护(hù)国家(jiā)安(ān)全(quán)的(de)必要措施(shī)。中国坚(jiān)定推(tuī)进(jìn)高(gāo)水平对外开放(fàng)，只要(yào)遵守中国法(fǎ)律法规要求，欢迎各国企业(yè)、各类平台(tái)产品服务进(jìn)入(rù)中国市(shì)场。

　　3月(yuè)31日，中国网信(xìn)网发文称，为保(bǎo)障(zhàng)关键信息基础设施供应(yīng)链安全，防范(fàn)产品问题隐患造成网络安全风险(xiǎn)，维护(hù)国家安全，依据(jù)《中华(huá)人民共和(hé)国国家安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全审查办公室按(àn)照《网络安全审查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是美国的(de)存储芯片行业龙头，也是全球(qiú)存储芯片巨(jù)头(tóu)之一(yī)，2022年收入(rù)来自(zì)中(zhōng)国市场(chǎng)收入从(cóng)此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子(zi)、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK aj和耐克的区别是什么，aj和乔丹的区别是什么海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内(nèi)存(cún)）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市公(gōng)司中，江波龙、佰维存储等(děng)公司披露过(guò)美光(guāng)等国际存储厂商(shāng)为公司供(gōng)应(yīng)商。

　　美(měi)光在江(jiāng)波(bō)龙(lóng)采购(gòu)占比已经显著下降，至少已经不(bù)是主要(yào)大供(gōng)应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光(guāng)位列江波(bō)龙第一大存储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供(gōng)应(yīng)商采(cǎi)购金额(é)占比分(fēn)别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储产业(yè)链(liàn)上下游(yóu)建立国内外广泛(fàn)合(hé)作。2022年(nián)年(nián)报显示，江波龙与三星、美光、西部数(shù)据等主(zhǔ)要存(cún)储(chǔ)晶圆(yuán)原厂(chǎng)签署了长期合约，确保存储晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固公(gōng)司在下游市(shì)场的(de)供应优势，公司(sī)也与(yǔ)国内(nèi)国产存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析(xī)aj和耐克的区别是什么，aj和乔丹的区别是什么，如(rú)果美光(guāng)在中国区销售受到(dào)限(xiàn)制(zhì)，或将(jiāng)导致下游(yóu)客(kè)户转而采购国外三星、 SK海力(lì)士，国内长(zhǎng)江存(cún)储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的(de)上(shàng)游设备厂或从(cóng)中受(shòu)益(yì)。存储器的生产(chǎn)已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻(kè)蚀和薄膜(mó)成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要(yào)经过薄(báo)膜沉积工(gōng)艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会(huì)更深(shēn)的孔或者(zhě)沟(gōu)槽，催生更(gèng)多设备需求。据东京电子(zi)披(pī)露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本开支合计为75％。自长江存储被加入美(měi)国限制名(míng)单，设备国产化进程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积）等(děng)相关(guān)公司份(fèn)额提升，以及存储业务占比较高的华海清(qīng)科(kē)（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增长。

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